首页 > 产品信息

型号：楔角片、分束片（Beam displacer)   适用范围：广泛应用于光纤通信领域，是光通信无源器件，如光隔离器、环形器、旋光器、延迟器、偏振器的关键材料 详细说明：是一种通常采用提拉法生长的晶体，具有良好的机械性质和物理性质，由于其具有宽透过波段和大的双折射率而成为制作光学偏振元器件的理想材料。在许多实用方面...

高精度的石英波片，又称为位相延迟片，主要使光信号产生相位延迟，从而管理光的偏振态，能对通过的光信号进行高精度的偏振管理，是光通信和激光行业广泛应用的重要元件。 规格： 等级：二分一半波片、四分一波片、真零级/零级…… 波长：850nm、980nm、1060nm、1260nm、1310nm、1420、1490nm、1550nm、1620nm…… 尺寸：1.9*1、...

抗激光膜石英棒：应用于大功率QBH切割头，尺寸有直径8MM等。TGG单晶：用于制作法拉第旋光器与隔离器的最佳磁光材料。        它具有大的磁光常数、高热导性、低的光损失和高激光损失阈值，广泛应用于YAG、掺Ti蓝宝石等多级放大、环形、种子注入激光器中。        尺寸：直径2.0--3.3mm，长度...

规格：大楔角2*2*3.3、2*2*2.5、1.43*1.03*2.2； 小楔角2*2*0.9、2*2*0.5、1.43*1.03*0.3、0.85*0.85； 分束器BD:2*2*6、2*2*6.5、2*2*4、2*2*3.1等等法拉第切片：1.46*1.46、0.95*0.95、0.86*0.86、0.67*0.67 福建中策光电股份公司，立足专业提供隔离器、环形器、光开关等一系列接入网核心无源器件的晶片物料（LiNbO3铌酸锂、YVO4...

HCPL100脉冲大电流源1000A脉冲恒流源特点和优势： 50~500us的脉冲宽度连续可调； 15us的超快上升沿； 同步测量电压； 单台最大可达1000A输出； 可极性反转； 0.1%测试精度；详询一八一四零六六三四七六；技术指标电流脉宽  50μs~500μs脉冲电流上升沿时间 典型时间15us输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A输...

普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势    高电...

半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...

高精密数字源表国产电流源认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案​，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达300V，...

参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA200激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260（<10s）...

参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃0～+90储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...