所属地区: | 华东地区 华南地区 华中地区 华北地区 西北地区 西南地区 东北地区 台港澳地区 海外地区 | |
所属类别: | 光无源器件 光通讯材料 光纤光缆 生产测试 系统网络 通信IC 光有源器件 其它类 | |
信息类型: | 不限 产品 采购 | |
发布日期: | 不限 一个星期以内 一个月以内 一个季度以内 一年以内 |
HCPL100脉冲大电流源1000A脉冲恒流源特点和优势: 50~500us的脉冲宽度连续可调; 15us的超快上升沿; 同步测量电压; 单台最大可达1000A输出; 可极性反转; 0.1%测试精度;详询一八一四零六六三四七六;技术指标电流脉宽 50μs~500μs脉冲电流上升沿时间 典型时间15us输出脉冲电流 5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A输...
普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六;“双高”系统优势 高电...
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表,普赛斯数字源表集...
高精密数字源表国产电流源认准普赛斯仪表,普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案,详询一八一四零六六三四七六; S型数字源表应用优势:1、多功能测量需求下的广泛的适应性,电压高达300V,...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA200激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20~+70储存温度Tstg℃-40~+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260(<10s)...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃0~+90储存温度Tstg℃-40~+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号最小最大单位激光器反向电压VRLMAX—2.0V正向电流IFLMAX—150mA工作温度范围TO-2070℃贮藏温度范围Tstg-4085℃光电二极管反向电压VRPDMAX—10V光电二极管正向电流IFPDMAX—2mA热敏电阻温度——100℃制冷器工作电流——1.9A...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA400激光二极管反向电压Vr(LD)V3致冷器工作电流ITEC A1.8致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-10~+70储存温度Tstg℃-40~+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA100激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20~+70储存温度Tstg℃-40~+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20~+70储存温度Tstg℃-40~+85管脚焊接温度/时间Tsld℃/s260/10...