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高速InGaAs光电探测器

发布时间:2017-08-21 信息有效期:30天 浏览:1920举报
高速InGaAs光电探测器
  • 信息分类:光有源器件 - 光探测器
  • 所在区域:四川省 - 绵阳市
  • 有效日期:30天
  • 信息类型:产品信息
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【特点】

  • 宽带宽

  • 集成偏置电路

  • DC耦合

  • 气密性封装,SMA输出

【应用】

  • 高速光通信

  • 微波光子链路

  • 高速测试、测量

绝对最大额定值 (TC = 22±3)℃
参数名称
符号
额定值
单位
贮存温度范围
TSTG
-40 ~ +100
工作温度范围 
TC
-40 ~ +85
偏置电压 
VR
30
V
光入射功率
Pin
13
dBm
焊接温度
Tp
260(10s)
 
 
 
 
 
 
 
 
光电特性 (TC = 22±3℃)
参数名称
符号
测试条件
参数指标
单位Unit
工作波长
λ
-
1000~1650
nm
工作频段
-
-
C-band
X-Band
Ku-Band
-
-3dB带宽
f-3dB
VR =5V,λ = 1550nm
Pin =1mW,RL=50Ω
0.1~8
0.1~12
0.5~18
GHz
响应度
Re
VR =5V, Pin=10μw
λ = 1310nm
≥0.80
≥0.80
≥0.60
A/W
λ = 1550nm
≥0.85
≥0.85
≥0.65
幅度平坦度
F
-
±1.5
dB
输出驻波比 
VSWR
-
≤2.5:1
-
输出阻抗
RL
-
50
Ω
暗电流
Id
VR =5V
≤10
nA
饱和光功率 
Ps
VR =5V, λ = 1550nm
AC Modulated
≥10
dBm
光插入损耗
OIL
≤0.5
dB
光回损
Lo
λ=1.55μm, φe=100μw
≥40
dB
 
关键字光电 探测器 InGaAs 高速
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