SOI芯片光电探测器阵列
SOI Chip-based Photodetector Array
SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案
〖性能指标Specifications〗
参数指标 Parameters
| 单位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 备注 Notes |
波长范围 Wavelength range
| nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
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暗电流 Dark current | nA | 35 |
| 50 |
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3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth | GHz |
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| 28 |
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光饱和功率 Optical saturation power | mW | 10 |
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响应度 Responsibility | A/W | 0.8 |
| 0.85 |
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90度光学混频器损耗 90°mixer loss | dB | 6 | 6.5 | 6.7 |
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90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance | ° | 5 |
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通道数 Number of channels |
| 8或可定制 8 or Can be customized |
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光纤接入损耗 Insertion loss | dB | ≤0.5 |
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偏振相关损耗 PDL | dB | ≤0.3 |
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工作温度范围 Operating temperature range | °C | -20 |
| 50 |
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工作湿度范围 Operating humidity range | % |
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| +65 |
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芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 4(L)×5(W)×0.5(H) | |||
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