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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪

发布时间:2024-04-11 信息有效期:730天 浏览:851举报
二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
  • 信息分类:生产测试 - 其它生产测试
  • 所在区域:湖北省 - 武汉市
  • 有效日期:730天
  • 信息类型:产品信息
信息详情

半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表,普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,详询可咨询陶女士一八一四零六六三四七六


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接下来我们重点介绍应用最广泛的二极管、三极管及MOS管的特性及其电性能测试要点。

1、二极管

二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性元器件,产品结构一般为单个PN结结构,只允许电流从单一方向流过。发展至今,已陆续发展出整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电二极管等,具有安全可靠等特性。

器件特性:结压降、不能变,伏安特性要会看,正阻强大反阻软,测量全凭它来管。

测试要点正向压降测试(VF)、反向击穿电压测试(VR)、C-V特性测试

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2、三极管

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。

器件特性:三极管,不简单,几个特性要记全,输入输出有曲线,各自不同有深浅。

测试要点:输入/输出特性测试、极间反向电流测试、反向击穿电压测试(VR)、C-V特性测试

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3、MOS管

MOSFET(金属―氧化物半导体场效应晶体管)是一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压VGs(th)、漏电流lGss、lDss,击穿电压VDss、低频互导gm、输出电阻RDs等。

器件特性:箭头向里,指向N,N沟道场效应管;箭头向外,指向P,P沟道场效应管。

测试要点:输入/输出特性测试、阈值电压测试VGS(th)、漏电流测试、耐压测试、C-V测试

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所以,何为电性能测试?半导体分立器件该如何进行电性能测试?

半导体分立器件电性能测试是对待测器件施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应,通传统的分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字万用表、电压源、电流源等。

实施半导体分立器件特性参数分析的最佳工具之一是“五合一”数字源表(SMU),集多种功能于一体。

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精准、稳定、高效的电性能测试方案可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具,大大提高测试效率。此外,基于核心的高精度数字源表,普赛斯还提供适当的电缆辅件和测试夹具,实现安全、可靠的测试。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;

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