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性能参数 |
PD-M-TBPIN-SW |
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探测器类型 |
Si PIN |
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波长响应范围 |
400 - 1100 nm |
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响应度@850 nm |
0.5 A/W |
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光敏面直径 |
500 μm |
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耦合方式 |
FC法兰盘 |
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共模抑制比 |
>25 dB |
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RF OUTPUT1 |
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带宽(-3 dB) |
150 MHz |
50 MHz |
5 MHz |
0.3 MHz |
0.1 MHz |
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转换增益(V/A) |
0.3×103 |
0.3×104 |
0.3×105 |
0.3×106 |
0.3×107 |
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饱和光功率(dBm) |
7 |
-3 |
-13 |
-23 |
-33 |
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线性范围(dB) |
22 |
22 |
22 |
22 |
22 |
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均方根噪声(mV) |
0.6 |
1.2 |
1.2 |
1.2 |
2.7 |
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噪声等效功率 |
180 pw/√Hz |
44 pw/√Hz |
6.4 pw/√Hz |
8.2 pw/√Hz |
3.2 pw/√Hz |
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输出电压范围(V) |
±3 |
±4.5 |
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MR OUTPUT2 |
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转换增益(V/A) |
1×104 |
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饱和光功率(dBm) |
0 |
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线性范围(dB) |
30 |
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均方根噪声(mV) |
0.6 |
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输出电压范围(V) |
±10 |
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注: 1.RF端测试参数是在50Ω阻抗匹配下测得。
2.MR端测试参数是在1MΩ阻抗匹配下测得。
3.客户自行配置电源时，应选择噪声峰峰值小于5mV的线性电源，否则会影响测量效果。
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