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频率的环境下，对芯片的可靠性要求较高，这给测试带来了一定的困难。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求，但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却极大扩展了高压、高速的分布区间。如何精确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。 ...
频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。分立器件检测仪iv+cv测试仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A...
频器等场景。...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必...
高功率低噪声DFB激光器模块产品特点应用领域高功率CATW低噪声射频拉远跟踪遥测及控制雷达电子对抗参数规格最小值典型值最大值单位工作温度TcIf=iop-4070——℃激光器正向电流If————600——mA激光器反向偏压Vr————2——V二极管反向偏压Vrpd————10——VTEC电流Itec-20℃<Tc<65℃;Top=25℃,If=iop——1.5——A参数符号...
高功率低噪声DFB激光器模块产品特点应用领域高功率CATW低噪声射频拉远跟踪遥测及控制雷达电子对抗参数规格最小值典型值最大值单位工作温度TcIf=iop-4070——℃激光器正向电流If————600——mA激光器反向偏压Vr————2——V二极管反向偏压Vrpd————10——VTEC电流Itec-20℃<Tc<65℃;Top=25℃,If=iop——1.5——A参数符号...
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高功率低噪声DFB激光器模块产品特点应用领域高功率CATW低噪声射频拉远跟踪遥测及控制雷达电子对抗参数规格最小值典型值最大值单位工作温度TcIf=iop-4070——℃激光器正向电流If————600——mA激光器反向偏压Vr————2——V二极管反向偏压Vrpd————10——VTEC电流Itec-20℃<Tc<65℃;Top=25℃,If=iop——1.5——A参数符号...
频率/ITU Frequency196.10191.35THzITU波长/ITU Wavelength1528.7731566.723nm1dB带宽/1dB Channel Bandwidth0.18nm3dB带宽/3dB Channel Bandwidth0.28nm20dB带宽/20dB Channel Bandwidth0.7nm通道插损/Insertion Loss7.0dB平坦度/Ripple0.7dB通道一致性/Uniformity1.5dB相邻通道隔离度/Adjacent Channel Isolation25dB非相邻通道隔离...
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