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手持式光功率计          手持式光功率计是为安装、运营和维护光纤网络专门设计的一种精准、耐用的便携式仪表。具有小巧的外形、可选择开关的背光显示和自动关机功能、超宽的光功率测试范围、精准的测试精度以及用户自校准功能和通用接口设计，同时线性指标（mW）和非线性指标（dBm）同屏显示。手...

概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...

HCPL100脉冲大电流源1000A脉冲恒流源特点和优势： 50~500us的脉冲宽度连续可调； 15us的超快上升沿； 同步测量电压； 单台最大可达1000A输出； 可极性反转； 0.1%测试精度；详询一八一四零六六三四七六；技术指标电流脉宽  50μs~500μs脉冲电流上升沿时间 典型时间15us输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A输...

普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势    高电...

半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯数字源表集...

高精密数字源表国产电流源认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案​，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高达300V，...

PEM-100型偏振消光比（PER） 测试仪是一款基于旋转检偏器方法的光束偏振消光比测量设备，可同时测量偏振消光比、 偏振度、 光功率和偏振方位角，应用于偏振光元器件与保偏光纤之间偏振方位角的快速精确对准。PEM-100型偏振消光比测试仪内置高灵敏度功率探测电路， 有效偏振消光比探测功率灵敏度可达-40 dBm。采用高精度编码器与伺服电...

DPEM-100型偏振消光比（PER） 测试仪是一款基于旋转检偏器方法的光束偏振消光比测量设备，可同时测量偏振消光比、 偏振度、 光功率和偏振方位角，应用于偏振光元器件与保偏光纤之间偏振方位角的快速精确对准。DPEM-100型偏振消光比测试仪内置高灵敏度功率探测电路， 有效偏振消光比探测功率灵敏度可达-40 dBm。采用高精度编码器与伺服...

PEM-100型偏振消光比（PER） 测试仪是一款基于旋转检偏器方法的光束偏振消光比测量设备，可同时测量偏振消光比、 偏振度、 光功率和偏振方位角，应用于偏振光元器件与保偏光纤之间偏振方位角的快速精确对准。PEM-100型偏振消光比测试仪内置高灵敏度功率探测电路， 有效偏振消光比探测功率灵敏度可达-40 dBm。采用高精度编码器与伺服电...

DPEM-100型偏振消光比（PER） 测试仪是一款基于旋转检偏器方法的光束偏振消光比测量设备，可同时测量偏振消光比、 偏振度、 光功率和偏振方位角，应用于偏振光元器件与保偏光纤之间偏振方位角的快速精确对准。DPEM-100型偏振消光比测试仪内置高灵敏度功率探测电路， 有效偏振消光比探测功率灵敏度可达-40 dBm。采用高精度编码器与伺服...