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参 数符号参数值单 位激光二极管正向电流If(LD)100mA激光二极管反向电压Vr(LD)2V背光探测器工作电流If(PD)2mA背光探测器反向电压Vr(PD)20V致冷器工作电流ITEC2.4A致冷器工作电压VTEC2.9V工作温度Topr-20～+70℃储存温度Tstg-40～+85℃引线焊接温度/时间TSLD260/10℃/s...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA2.5激光二极管反向电压Vr(LD)V2.5背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITECA2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-10～+65储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间TSLD℃/s260/10 ...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A1.2致冷器工作电压VTECV4工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间TSLD℃/s260/10...
参数符号单位参考值LD工作电流If(LD)mA100LD反向电压Vr(LD)V2.0PD 工作电流If(PD)mA2.0PD反向电压Vr(PD)V25工作温度Top℃-10～+65储存温度Tstg℃-40～+85焊接温度TSLD℃/S260/10...
参数符号单位参数值激光二极管正向电流If(LD)mA120激光二极管反向电压Vr(LD)V2背光探测器工作电流If(PD)mA2背光探测器反向电压Vr(PD)V20致冷器工作电流ITEC A2.4致冷器工作电压VTECV2.9工作温度Topr℃-20～+70储存温度Tstg℃-40～+85管脚焊接温度/时间TSLD℃/s260/10...
产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控高消光比、高增益、高输出光功率，低偏振损耗。性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代产品应用光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗激光雷达中，用于产生高功率激光脉冲光通信系统中，用于替代EDFA，实现1550nm的光放大典型特性产品规格...
产品亮点 S SOA芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流SOA厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的半导体光放大器，用于40G/100G高速业务的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA中，提高光功率预算 S 硅...
产品亮点 S 芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能 S 硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗 S 激光雷达中，用于产生高功率激...
产品特点 S 芯片COC全工艺国产，自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的SOA，用于高速业务信号的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA或TOSA中，提高光功率预算 S 用于硅光子集成...
SLD260/10℃/s〖技术参数：（测试环境温度为25℃）〗〖Technical parameter:(Test environment temperature is 25℃)〗参数Parameters符号Symbol测试条件Condition最小值Min.典型值Typ.最大值Max.单位Unit出光功率ParametersPOCW3 10mW阈值电流Optical powerIthCW−1218mA工作电流Threshold currentIopCW, 5mW-−100mA...
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