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压V5最大承受光功率mw≤500使用温度℃-20~+70储存温度℃-40~+85尺寸mm34x24x11以上所有规格的损耗不包括连接头的损耗，并且不包括在特殊环境下的损耗.管脚定义PIN#NAMEDESCRIPTION1NCNo physical internal connection2VCCPower Supply (3 or 5v)3STROBEFalling Edge Active (input)4GNDSignal Ground5D0Data 0 (input)6D1Data 1 (inpu...
PXOOB系列多功能脉冲源表脉冲IV测试仪是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、...
静态特性测试挑战 随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标，与工作条件无关的相关参数，如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。 功率半导体器件是一种复...
压，配置不同规格参数的源表和探针台。详询一八一四零六六三四七六；更高效:灵活测试：体积小巧，节省实验台空间接线简单，无需繁杂的同步触发操作适应多种测量模式，如四探针、三同轴等更可靠:广泛应用：利用普赛斯这套国产化高精度数字源表+探针台的测试系统，可以为您完成任何晶圆、芯片、微小电子器件的测试。目前，普赛斯仪表已...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
微电测试数字源表优势：◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更准确的低内阻量测;集成线性阶梯扫描、对数阶梯扫描、自定义扫...
按压式 偏振控制器特点 应用低损耗高速电信系统紧凑型波分复用系统易于连接光纤激光器低成本光纤传感器系统 特点应用低损耗高速电信系统紧凑型波分复用系统易于连接光纤激光器低成本光纤传感器系统对波长变化不敏感保偏光纤系统适用于任何尺寸的光纤远程系统规格参数:插入损耗< 0.05 dB回波损耗> 65 dB工作波长405~1700nm消光...
压电源等测试设备，广泛应用于高校研究所，实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必...
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