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PXOOB系列多功能脉冲源表脉冲IV测试仪是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、...
斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET. BJT、 IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有卓越的测量效率、一...
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高端测试装备上下游产业链的垂直整合，晶圆级微电子材料器件测...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
斯理由 普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高压电源等测试设备，广泛应用于高校研究所，实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。...
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的...
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必...
概述： SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可...
斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更...
普赛斯功率器件测试设备+igbt模块测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；“双高”系统优势 高电...
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