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VF)、反向击穿电压测试(VR)、C-V特性测试2、三极管三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。器件特性：三极管，不简单，几个特性要记全，输入输出有曲线，各自不同有深浅。测试要点：输入/输出特性测试、极间反向电流测试、反向击穿电压测试(VR)...
产品特点具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和 TEC 热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成 PD 光功率监控等更高集成度的器件订制 产品应用应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。&nbs...
产品特点芯片COC全工艺国产，自主可控高消光比、高增益、高输出光功率，低偏振损耗。性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代产品应用光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗激光雷达中，用于产生高功率激光脉冲光通信系统中，用于替代EDFA，实现1550nm的光放大典型特性产品规格...
产品亮点 S SOA芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流SOA厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的半导体光放大器，用于40G/100G高速业务的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA中，提高光功率预算 S 硅...
产品亮点 S 芯片全国产，工艺自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 光纤传感系统中，替代声光调制器，实现光开关功能 S 硅光子集成器件中，用于补偿光光路损耗 S 激光雷达中，用于产生高功率激...
产品特点 S 芯片COC全工艺国产，自主可控 S 与主流厂家结构尺寸一致，兼容性强 S 性价比高，交期短，供货快，需求订制，快速迭代 产品应用 S 蝶形或小box封装的SOA，用于高速业务信号的光放大 S 集成在100G光模块的ROSA或TOSA中，提高光功率预算 S 用于硅光子集成...
VF-1.21.5V-光输出功率Optical Output PowerPf2--mWCW, If=Ith+20mA中心波长可选）Center Wavelength（optional）λc154715501553nmCW, Po= Pf上升/下降时间（20-80%）Rise/Fall Time(20-80%)Tr/Tf-0.20.5nSIf=Ith, Po=Pf, 50 Ohm监测电流Monitor CurrentIm100-1000uACW,P0 = Pf电容CapacitanceC-1015PFVRD=5V, f=1MHz暗电流Dark...
产品特点 具有高增益、低功耗、低偏振相关损耗、高输出光功率（25dBm）、高消光比等特点 支持温度监测和TEC热电控制，确保全温度工作范围稳定运行定制化服务：可支持保偏、集成隔离器、集成PD光功率监控等更高集成度的器件订制产品应用 应用于分布式光纤传感系统中，替代声光调制器产生脉冲光。 应用于1550nm固态...
VFPO=PL————2.5V中心波长Center wavelength入cPO=PL CW,20℃≤TL≤35ITU中心波长ITU Center wavelengthNm线宽Linewidth△入PO=PL，TL=25°C——1——MHz偏振消光比Polarization extinction ratioPER————20——dB光隔离度Optical isolationISO————32——dB单模抑制比Single mode suppression ratioSMSRPO=PL30————dB相...
产品描述见合八方的半导体光放大器（SOA）系列产品，主要应用于40G/100G 1310nm（4波LWDM/CWDM）光放大。该系列产品基于清华大学光电集成微系统研究所的标准封装平台，采用密封的无机封装技术，保证了产品的可靠性。产品特点• 全工艺国产，自主可控• 低功耗，典型驱动电流120mA，满足高速ROSA低功耗需求• 支持温度...
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